SSDSAMSUNG
DISQUE SSD NVME SAMSUNG 9100 PRO 02TB GEN5 14700Mo/s
SKU: SAM-DIS-1310
75 000 DA
Disponibilité: En stock
Résumé
Le Samsung 9100 PRO NVMe Gen5 2 To repousse les limites de la vitesse avec des performances exceptionnelles allant jusqu’à 14 700 Mo/s en lecture séquentielle. Conçu pour les gamers exigeants, créateurs de contenu et professionnels, il offre des temps de chargement quasi instantanés, une réactivité extrême et une fluidité totale, même pour les tâches les plus lourdes (4K/8K, IA, rendu 3D). Grâce à l’interface PCIe Gen5, à la mémoire V-NAND Samsung et à un contrôleur de nouvelle génération, le 9100 PRO garantit fiabilité, efficacité énergétique et longévité, le tout dans un format compact M.2 compatible avec les plateformes les plus récentes.
Description détaillée
Présentation
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Lecture séquentielle
Jusqu'à 14 700 Mo/s **
Écriture séquentielle
Jusqu'à 13 400 Mo/s**
Utilisation
Ordinateur de bureau, Ordinateur portable, Consoles de jeu
Poids
Max 9.5g
Dimensions du produit
Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
Caractéristiques générales
Utilisation
Ordinateur de bureau, Ordinateur portable, Consoles de jeu
Capacité
2 To (1Go=1 milliard de octets par IDEMA) *
Forme
M.2 (2280)
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Dimensions du produit
Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
Poids
Max 9.5g
Mémoire de stockage
Samsung V-NAND TLC
Contrôleur
Samsung in-house Controller
Mémoire cache
Samsung 2 Go basse consommation DDR4X SDRAM
Caractéristiques spécifiques
Support TRIM
Supporté
Support S.M.A.R.T
Supporté
Ramasse-miettes
Auto Garbage Collection Algorithm
Système de cryptage
Cryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté)
Support WWN
Non supporté
Mode veille
Oui
Performances
Lecture séquentielle
Jusqu'à 14 700 Mo/s **
Écriture séquentielle
Jusqu'à 13 400 Mo/s**
Random Read
Jusqu'à 1 850 000 IOPS **
Random Write
Jusqu'à 2 600 000 IOPS **
Environnement
Consommation moyenne
Moyenne : Lecture 8,1 W / Ecriture 7,9W**
Consommation en mode veille
Généralement 4,8 mW **
Power Consumption (Device Sleep)
Généralement 4 mW **
Voltage
3,3 V ± 5 % Tension admissible
Fiabilité (MTBF)
1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
Température hors fonctionnement
0 - 70°C Température de fonctionnement
Chocs
1 500 g et 0,5 ms
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